6chアンプ (9) バイアス電流テストポイントその2

前稿でアタリを付けたこのテストポイント（TP)、よくよく考えると、なんだかヘンですよ。（＝間違っています）

だって、G-G間に20mV = Vgsに10mV掛けただけで、このMOS-FETがOnするわけがないですよ。（動作しないです）G-Gは最低でも1.0～数Vの印加が必要のはず。
どこかにVgs-Id曲線が載ってるデータシート無いのかな？　と探しているんですが、分解能の粗いへんなのしか無くてね。。。

だとすると、ドコを20mVに調整しろと言ってるのか？
逆算で考えると、どうやらソース抵抗を測ればよさげ。

つまりこの図でいうR16とR18。

なるほどね、ソース抵抗に20mV掛ける、＝約100mAバイアス流せといってるわけか。であれば理解できます。その量は私の学んだパワーMOS-FETの使い方ともだいたい符号します。

—– 追記 —–

　海外のフォーラム見ると、S-S間電位を測れという書き込みがあった。
　つまり、100mAじゃなくて50mA程度かな？　いずれにせよソース抵抗測ればよいと判明。

でも、ソースセメント抵抗の値って概して誤差大きいよねぇ。信頼できるのか？
そうか、ソース抵抗値も高精度に測っておけばいいのか！

疑問解決です。